《太阳能电池新技术》的原文摘录
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量子效率代表的意义是当光线照射到太阳能电池表面时，有多少比率的光子可有效地转换为电子-空穴对（即电流）。通常是在不同波长范围内，测量组件在每个光子能量下的效率。 (查看原文) —— 引自第35页 -
生产太阳能电池级单晶硅片的制作工艺步骤： （a）CZ拉单晶 （b）修边 （c）切片 （d）刻蚀与清洗 （e）成品：CZ单晶硅片 (查看原文) —— 引自第60页 -
CZ拉晶炉的组件包括石英坩埚、石墨坩埚（用来支撑石英坩埚）、加热及绝热组件、壁炉等。 (查看原文) —— 引自第61页 -
生产太阳能电池级的CZ多晶硅，需要考虑的最重要的因素是降低生产成本，所以提高长晶的良率与产出率是主要的改善方向。提高产出率的关键，是设计出一个最佳化的热场，使得拉晶速率可以有效增加。再者，利用重复加料的方式也可以有效地增加产出率，这里的重复加料是指在拉完一根晶棒后，在石英坩埚内的硅溶液还没固化前，又重新加料进去溶解，来进行下一根晶棒的生长过程。如此一来，用一个坩埚就可重复拉多根晶棒，可减少购买坩埚的成本，增加产出率。 (查看原文) —— 引自第62页 -
一般单晶硅太阳能电池都是使用<100>方向的硅晶片，…… (查看原文) —— 引自第63页 -
铸造多晶硅锭一般是采用定向凝固的方式，这样才不会长出杂乱无序的晶粒，经过定向凝固的控制，则可以长出宽度约数毫米到数厘米的柱状排列晶粒。铸造多晶硅锭有三种主要的方法，即浇铸法、布里基曼法及电磁铸造法。 (查看原文) —— 引自第76页 -
切片完成后的多晶硅片表面上可以看到明显的晶粒结构，如果再经过蚀刻清洗处理，这种晶粒结构更清楚。 (查看原文) —— 引自第81页 -
多晶硅片的结晶缺陷主要是晶界及位错线，这些缺陷都可能造成少数载子的再结合，进而影响到太阳能电池的效率。因此晶界数目（即增加晶粒大小）及位错线是考察质量好坏的重要因素。 (查看原文) —— 引自第82页 -
最早的薄板多晶硅片的研发可追溯到1967年，经过30多年的研发，已衍生出许多不同的技术，其中包括EFG（Edge Defined Film Feed）法、WEB（Dendritic Web）法、STR（String Ribbon）法、SF法及RGS（Ribbon Growth on Substrate）法等。 (查看原文) —— 引自第85页 -
非晶硅太阳能电池的一个重大缺点是会发生光劣化现象，这种现象就是所谓的Staebler-Wronski效应（SWE）。它是在1977年被发现的一种现象，在被太阳光照射数百小时后，非晶硅太阳能电池的转换效率便会出现明显的下降。 (查看原文) —— 引自第143页 -
III-V族化合物的薄膜生长技术主要是利用磊晶生长法，磊晶生长法可细分为液相磊晶法（LPE）、化学气相沉积法（CVD）、有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束磊晶法（MBE）等。 (查看原文) —— 引自第149页 -
所谓的磊晶是指在晶体上有次序地长上另一层晶体，如果基材与所长的磊晶层材料相同，就叫做同质磊晶；如果基材与所长的磊晶层材料不相同，就叫做异质磊晶。 (查看原文) —— 引自第149页 -
GaAs及其他III-V族太阳能电池，具有直接能隙及高吸光系数，耐反射损伤性佳且对温度变化不敏感，使得III-V族太阳能电池特别适合用在热光伏特系统（Thermophotovoltaics，TRV）、聚光系统及太空三个主要应用领域里。 (查看原文) —— 引自第161页 -
用在太空领域上的太阳能电池，必须具有高转换效率、抗辐射性、轻量化及高可靠性等特性。早期太空用太阳能电池是采用Si，但GaAs及InP已取代硅而成为最佳的太空及卫星用太阳能电池的材料。而GaInP/GaAs/Ge多接面太阳能电池，更具有可以在高电压、低电流下操作的优点，是更亮眼的新时代太空领域应用的太阳能电池。 (查看原文) —— 引自第163页 -
铜铟镓二硒系列的太阳能电池可分为两类，一种是含铜铟硒的三元化合物（CIS），一种是含铜铟镓硒的四元化合物（CIGS）。 (查看原文) —— 引自第177页 -
染料敏化太阳能电池的基本架构是由透明导电基板、多孔纳米晶体二氧化钛薄膜、染料光敏化剂、电解质溶液和透明辅助电极所组成。其工作原理是以染料分子作为吸光的主要材料，它在吸收到太阳光的同时，电子被激发到高能阶层。 (查看原文) —— 引自第192页
作者: 林明獻
isbn: 7030337719
书名: 太阳能电池新技术
页数: 161
定价: 56.00元
出版社: 科学出版社
出版年: 2012-5
装帧: 平装