作者简介 · · · · · ·
施敏（Simon M·Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of ...
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Physics of Semiconductor Devices的书评 · · · · · · ( 全部 2 条 )
豆友4371655
西安交通大学出版社2008版
本书获第八届引进版优秀图书奖
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本书获第八届引进版优秀图书奖。 该书作者为著名美籍华人科学家、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、台湾“中央研究院”院士、西安交通大学名誉教授施敏（S. M. Sze）博士和另一著名美籍华人半导体专家、曾在贝尔实验室工作的伍国珏（Kwok K. Ng）博士，译者为西... (展开)> 更多书评 2篇
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