宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能 短评

热门

  • 还没人写过短评呢

<< 首页 < 前页 后页 >

> 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能

宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
作者: 陶绪堂
isbn: 756066444X
书名: 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
页数: 328
出版社: 西安电子科技大学出版社