半导体物理基础

前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
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前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
1.5 扩散薄层的方块电阻
第2章 能级和载流子
2.1 量子态和能级
2.2 多子和少子的热平衡
2.3 费米能级
2.4 电子的平衡统计分布规律
2.5 非平衡载流子的复合
2.6 非平衡载流子的扩散
第3章 pn结
3.1 pn结的电流一电压关系
3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
3.3 晶体管的电流放大作用
3.4 高掺杂的半导体和pn结
3.5 pn结的击穿
3.6 pn结的电容效应
3.7 金属一半导体接触
第4章 半导体表面
4.1 表面空间电荷区及反型层
4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
4.3 实际MIs电容器的c(V)特性及应用
4.4 硅一二氧化硅系统的性质
4.5 MOs场效应晶体管
4.6 电荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和间隙原子
5.3 位错
5.4 层错
5.5 相变和相图
· · · · · · (收起)