硅集成电路工艺基础

前言第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 1.1.1 晶胞 1.1.2 原子密度 1.1.3 共价四面体 1.1.4 晶体内部的空隙 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.2.1 晶向 1.2.2 晶面 1.2.3 堆积模型图 1.2.4 双层密排面 1.3 硅晶体中的缺陷 1.3.1 点缺陷 1.3.2 线缺陷 1.3.3 面缺陷 1.3.4 体缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 参考文献第二章 氧化第三章 扩散第四章 离子注入第五章 物理气相淀积第六章 化学气相淀积第七章 外延第八章 光刻与刻蚀工艺第九章 金属化与多层互连第十章 工艺集成附录缩略语及物理量

前言第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 1.1.1 晶胞 1.1.2 原子密度 1.1.3 共价四面体 1.1.4 晶体内部的空隙 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.2.1 晶向 1.2.2 晶面 1.2.3 堆积模型图 1.2.4 双层密排面 1.3 硅晶体中的缺陷 1.3.1 点缺陷 1.3.2 线缺陷 1.3.3 面缺陷 1.3.4 体缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 参考文献第二章 氧化第三章 扩散第四章 离子注入第五章 物理气相淀积第六章 化学气相淀积第七章 外延第八章 光刻与刻蚀工艺第九章 金属化与多层互连第十章 工艺集成附录缩略语及物理量
· · · · · · (收起)